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平出 哲也
Acta Physica Polonica A, 132(5), p.1470 - 1472, 2017/11
被引用回数：3 パーセンタイル：29.1(Physics, Multidisciplinary)室温イオン液体の陽電子消滅寿命測定では通常の液体中と異なる現象が見出された。最終的にこの現象は、室温イオン液体中でポジトロニウムによるバブル形成が遅れて起こるためであることが、陽電子消滅寿命-運動量相関(AMOC)測定で明らかとなった。さらにバブルが安定するまでにオルソーポジトロニウムの消滅率の振動が起きることを見出し、これはおそらくバブルの振動を反映していると考えられる。ステパノフらはバブルの大きさの変化をいろいろな液体について計算しているが、液体ヘリウム以外では振動は起こらないとしている。これは室温イオン液体におけるナノスケールの構造が、通常の液体と非常に異なることを示唆している。さらに室温イオン液体中におけるオルソーポジトロニウムの消滅率はその巨視的な表面張力から予測されるものに対して小さすぎるものとなっていることも分かってきた。陽電子消滅法を用いることで、他の手法では不可能な室温イオン液体のナノスケールにおける構造に関する研究が可能となる。
Li, H.; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 谷村 直樹*
Journal of Physics; Condensed Matter, 27(24), p.246001_1 - 246001_5, 2015/06
被引用回数：6 パーセンタイル：27.97(Physics, Condensed Matter)Positron lifetime spectra of Fe, Co and Ni were measured under magnetic field using a 
Na source. Very small but distinguishable difference of positron lifetime upon magnetic field reversal was observed suggesting the existence of two bulk lifetimes associated with majority and minority spin electrons. Using two spin-dependent Fe bulk lifetimes, the difference Doppler broadening of annihilation radiation spectra between majority and minority spin electrons were also examined. Agreement between experiment and theory indicates that spin-polarized positron annihilation spectroscopy may have potential in investigation of spin-aligned electron momentum distribution.
Pb
intermetallic compound小野 正雄; Huang, X. S.*; 柴田 康弘*; 井口 裕介*; 境 誠司; 前川 雅樹; Chen, Z. Q.*; 長壁 豊隆; 河裾 厚男; 楢本 洋*; et al.
Proceedings of 1st International Conference on Diffusion in Solids and Liquids (DSL 2005), p.531 - 533, 2005/07
これまでに幾つかの低融点合金系について超重力場下における固体中での原子の沈降による傾斜構造を実現し、金属間化合物BiPbでは分解反応を実現している。本研究では、組成変化が起きない温度条件下で超重力処理を施した金属間化合物(BiPb, 120
C, 90.5万G, 100h)について陽電子消滅寿命測定を行った。その結果、出発試料に比べ平均寿命が延びていることがわかった。超重力場下で空孔が導入され、点欠陥として結晶内に留まっていると考えられる。原子の沈降メカニズムとして、(1)高速な空孔機構,(2)準格子間型機構,(3)1, 2の組合せを考えているが、これらの可能性を示唆する結果である。沈降メカニズムの解明に向けて今後より詳しく調べる予定である。
春山 満夫; 高瀬 操*; 岩崎 信*; 飛田 浩
JAERI-Research 2002-022, 91 Pages, 2002/12
JAERI-Research-2002-022.pdf:37.97MB
放射性廃棄物の非破壊測定技術開発の一環として、廃棄物ドラムの内部情報(物質性状)を把握できるCT法として、ベイズ逆投影法(Bayes Back Projection, BBP)による画像再構成プログラムを開発した。一般的なCT断面画像再構成手法として、フィルタ-補正逆投影法(Filtered Back Projection, FBP)が良く知られているが、今回報告する断面画像再構成手法は、ベイズ推定法をもととした逆問題解法をCT画像再構成問題に適用したものである。本手法は、測定回ごとの投影データを即座に断面画像に反映できる画像逐次改良型であるため、断面画像の修練をリアルタイムで見ることができるだけでなく、関心領域のみの画像再構成を行うことも可能な方法である。今回開発した再構成プログラムはX線XT用のものであるが、中性子イメージングや陽電子断層撮影(Positron Emission Tomography, PET)などの断面画像再構成にも適用することができ、利用範囲は広いものである。
森 敏*; 中西 友子*; 林 浩昭*; 大山 卓爾*; 内田 博*; 松橋 信平; 関根 俊明
Radioisotopes, 50(9), p.408 - 418, 2001/09
原研が中心となり開発を進めてきた植物研究用ポジトロンイメージング装置(PETIS)とこれを用いて研究を行うためにこれまでに開発してきたポジトロン標識化合物について、開発経緯と現状を解説した。また、PETISを用いた原研・大学プロジェクト共同研究で得られた知見として、植物体を構成する主要元素である炭,窒素などの化合物,植物内での物質輸送に重要な役割を果たすと考えられる水,ミネラルとして重要な金属元素等の動態に関して、植物生理学的な立場から、これまでの研究手法ではえられなかった知見の新規性,重要性について解説した。
F-labeled water movement in a cowpea plant by positron emitting tracer imaging system (PETIS)古川 純*; 横田 はる美*; 田野井 慶太朗*; 上岡 志ほり*; 松橋 信平; 石岡 典子; 渡辺 智; 内田 博*; 辻 淳憲*; 伊藤 岳人*; et al.
Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 249(2), p.495 - 498, 2001/08
被引用回数：16 パーセンタイル：73.21(Chemistry, Analytical)ポジトロン放出核種を利用したイメージング装置であるPETIS(Positron Emitting Tracer Imaging System)を用いてササゲにおけるバナジウム(V
)吸収をリアルタイムで測定した。バナジウム-48は、日本原子力研究所高崎研究所のAVFサイクロトロンを用い、Sc箔に50MeVの
粒子を照射することにより製造した。
Vを水耕液に添加し、PETISによりリアルタイム計測を行った。またV水溶液を添加してから3,6,20時間目の植物体を用いてバナジウム分布をラジオグラフィにより測定した。これらにより処理開始後20時間目には植物体全体にバナジウムが分布していることが明らかになった。植物に吸収されたバナジウムが及ぼす影響を見るために、同様にポジトロン放出核種であるフッ素-18で標識した水を用いてPETISによりササゲの水分吸収動態を測定した。計測前に20時時間バナジウムを吸収させると、標識水の吸収が極端に抑えられることが示された。これらの結果は植物体の地上部に移行したバナジウムが標識水の吸収を阻害する主な原因であることを示唆している。
阿部 浩之; 上殿 明良*; 内田 裕久*; 小松 淳*; 岡田 漱平; 伊藤 久義
Materials Science Forum, 363-365, p.156 - 158, 2001/05
パラジウム(Pd)の水素吸蔵能を向上させることは実用上非常に重要である。われわれは、イオン照射による材料改質の検討の一環として、照射欠陥と水素吸蔵特性との関係を調べた。Pd板(サイズ: 10
100.1mm
)にプロトン照射(エネルギー: 100keV,ドーズ量: 最大110
/cm
)を行い、形成される欠陥を低速陽電子ビームを用いた消滅
線エネルギードップラー拡がり測定により評価した。この結果、照射によるS-パラメータの増加が観測され、Pd表面層(厚さ400nm)における空孔クラスターの形成が確認された。また、照射及び未照射試料の水素吸蔵速度及び最大吸蔵量を比較した結果、照射により最大吸蔵濃度は変化しないが、吸蔵速度は低下することがわかった。これは、Pdバルク内への水素原子侵入に対する空孔クラスターのブロッキング効果で説明できる。
O-water flow in tomato and rice in the light and dark using a positron-emitting tracer imaging system (PETIS)森 敏*; 清宮 正一郎*; 中西 啓仁*; 石岡 典子; 渡辺 智; 長 明彦; 松橋 信平; 橋本 昭司; 関根 俊明; 内田 博*; et al.
Soil Science and Plant Nutrition, 46(4), p.975 - 979, 2000/12
被引用回数：29 パーセンタイル：57.37(Plant Sciences)ポジトロン放出核種イメージングシステム(PETIS)を用いることによって植物中の水の流れの画像化に成功した。ポジトロン放出核種のO原子で構成される水分子(標識水)をトマトとイネに経根投与し、植物生体内の標識水の移行速度と分布を動的に画像化した。画像から O-水の生体内移行は光によって制御され、暗条件ではほぼ完全にその動きを停止することがわかった。トマトの茎とイネの新葉における水の移動速度は光の強度が500
mol m
/sのとき、それぞれ1.9 cm/sと0.4 cm/sであった。イネの新葉の場合の速度はトマトの茎のそれの1/5であったが、光の強度を3倍にすると速度が1.7倍になることがわかった。
関根 俊明
日本土壌肥料学雑誌, 71(6), p.928 - 929, 2000/11
「ポジトロン放出核種の植物体における非破壊・経時的・動態解析」と題するシンポジウムにおいて、高崎研TIARAにおいて実施しているポジトロンを放出する
C,
N,F,V,
Mn,
Zn等の標識化合物を用いる植物の生理学的研究の成果を発表する。その一連の講演の最初に、植物が生きている状態で研究するためにポジトロン放出核種をトレーサーとして用いる原理を説明する。特に、核の崩壊特性及び合成化学的な面からこの方法の応用可能性を述べる。
原研・大学プロジェクト共同研究放射線高度利用研究プロジェクト専門部会; 大学・原研プロジェクト共同研究放射線高度利用研究専門委員会
JAERI-Conf 2000-008, 113 Pages, 2000/06
JAERI-Conf-2000-008.pdf:11.5MB
本報告は、平成11年1月27日、東京において開催された「原研・大学プロジェクト共同研究シンポジウム; 放射線高度利用研究の成果と今後の展望」をまとめたものである。これまでも研究成果を発表する機会を設けてきたが、今回のシンポジウムではさらに放射線高度利用研究プロジェクトの将来を議論するという試みを初めて行った。研究発表では、(1)オンライン同位体分離器を用いた核分光・核物性、(2)加速器放射線に関する研究(線源評価及び遮蔽)、(3)イオンビーム利用による材料開発法の研究、(4)高分子材料のイオン照射ミクロ構造に関する研究、(5)核融合炉材料に対する核変換生成物の影響に関する研究、(6)ポジトロン放出核種を用いた植物の生体機能解明、の各研究テーマで最近得られた成果が発表された。新しい研究テーマとして、“大気マイクロPIXE分析システムの開発とその応用"が提案され、8人のパネリストによって、本プロジェクトのこれまでの歩みと将来が議論された。
関根 俊明
Program of Regional Training Workshop on GMP in Production of Tc99m Generator, 7 Pages, 1999/10
ラジオアイソトープの製造に関する日本国内の現況及び、近年、ラジオアイソトープの医学利用において注目されているポジトロン放射体の利用とその現状を略述する。がんの骨転移疼痛軽減のためにSr-89が今年度中に日本国内で利用できるようになるが、同じ目的のRe-186/188の開発、及び冠動脈再狭窄予防を目的とするラジオアイソトープ利用技術の開発を紹介する。ポジトロン放射体に関しては、核医学利用とともに、世界に先駆けて原研で開始された植物研究への利用について紹介する。
関根 俊明
Program of Regional Training Workshop on GMP in Production of Tc99m Generator, 7 Pages, 1999/10
高崎研TIARAにおいて、ポジトロンを放出するC,N,F,V,Mn,Zn等の標識化合物を用いて植物の生理学的研究を行っている。この研究において、特徴的な植物用イメージング装置の概要とAVFサイクロトロンを用いるポジトロン放出核種標識化合物の製造法について報告する。植物用イメージング装置は現在植物の一部しか視野に入れることはできないが、植物が生きた状態で標識化合物の移行観測を可能にした。この方法による研究例として、鉄欠乏大麦におけるC標識メチオニンの移行研究の結果とその意義を紹介する。
山極 満; Koga, J. K.
Journal of Physics D; Applied Physics, 32(19), p.2526 - 2528, 1999/00
被引用回数：22 パーセンタイル：67.9(Physics, Applied)陽電子放出核種であるFを相対論的高強度短パルスレーザーと低密度プラズマ層との相互作用において生じる高速陽子を用いたO(p,n)F反応によって生成する新しい手法についての提案を行った。この原子核反応に寄与する高速イオン成分について2次元PICシミュレーションに基づく評価を行った。Fの瞬間的な生成率はサイクロトロンを用いた標準的な手法に比して2桁高いことを見いだした。
He plasma山極 満
Nuclear Science and Engineering, 125(2), p.218 - 222, 1997/00
被引用回数：2 パーセンタイル：23.04(Nuclear Science & Technology)酸素不純物Oを含む大型トカマクにおいてD-He核融合反応による高速陽子を用いた陽電子放射性核種Fの生成について数値的に検討を行う。陽子生成率を向上させるために高エネルギー重水素ビームを用いる。Fの発生量は実効イオン電荷数Z
~5といった幾分汚いプラズマにおいて最適化されること、また、O(p,n)F反応において可能な共鳴を取り入れることにより倍加されることが見い出される。重水素ビーム入射Heプラズマにおける発生量はサイクロトロンを用いた標準的手法の千倍に達する。アドバンストプラズマ領域での発生量との比較検討も行う。
岡田 漱平; 須永 博美; 金子 広久; 河裾 厚男; 平野 剛*; 佐野 肇*; 滝沢 春喜; 四本 圭一
Proc. of 11th Symp. on Accelerator Sci. and Technol., p.107 - 109, 1997/00
サイクロトロンを利用した陽電子内部線源法により、シリコン中の熱平衡欠陥生成を示唆するデータを得た。この内部線源法によらなくても任意の対象に対して高温などの極端条件下での陽電子寿命測定が可能な高速(1MeV)短パルス(100ps)陽電子ビーム形成装置をほぼ完成させるとともに、静電場輸送低速陽電子ビーム形成に成功した。ポジトロンファクトリー計画に関しては、主要部分の概念設計を終了した。またリニアックを用いた低速陽電子発生実験の結果と、モンテカルロ計算とから、従来の3倍以上の低速陽電子収率が期待できる新しいモデレータアセンブリー構造を提案する。
鈴木 康夫*
Proc. of 6th China-Japan Joint Symposium on Accelerators for Nuclear Science and Their Applications, 0, p.376 - 379, 1996/00
原研は、多くの加速器とその利用研究を行ってきた。また、多くの加速器利用の研究計画をもっている。つまり中性子科学研究計画、ポジトロン・ファクトリー、IFMIFなどである。中性子科学研究は、主要2大研究テーマ;中性子散乱による構造生物学と物質科学と消滅処理開発用の原子力研究をねらっている。ポジトロン・ファクトリーはポジトロンをプローブとする新しい物質構造解明用である。IFMIFは強い中性子束を作り、核融合炉材料開発用である。本論文では、既設の加速器群の現状を報告するとともに原研の諸将来計画について報告する。
伊藤 泰男*; F.M.H.Mohamed*; 瀬口 忠男; 大島 明博*
Radiation Physics and Chemistry, 48(6), p.775 - 779, 1996/00
被引用回数：19 パーセンタイル：80.29(Chemistry, Physical)未照射PTFE、放射線架橋PTFE、放射線分解PTFE、高結晶性PTFEとその線照射物の5種類のPTFEについて、20Kから400Kの温度範囲でポジトロンの寿命測定を行い、オルソポジトロニウムの寿命と強度からPTFE中の空孔に関する情報を得ることを試みた。その結果、非晶質部分及び結晶と非晶質の境界の空孔を反映しており、粘弾性測定の結果と部分的に対応している。オルソポジトロニウムの強度は複雑であるが、ポジトロン照射の特異な側面が観測された。
A.Li*; H.Huang*; D.Li*; S.Zheng*; H.Du*; S.Zhu*; 岩田 忠夫
Japanese Journal of Applied Physics, 32(3), p.1033 - 1038, 1993/03
被引用回数：8 パーセンタイル：44.68(Physics, Applied)中性子照射したSiについて陽電子寿命測定を行い、100~800Cにおける欠陥のアニーリングを調べた。陽電子寿命スペクトルの2成分フィッティングを行った。第1成分は完全結晶中のfreeな陽電子及びmonovacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応し、第2成分はdivacancyまたはdivacancy-substitutional oxygen complexes及びquadrivacancy-substitutional oxygen complexesに捕獲された陽電子の平均に対応するものであることを示した。2成分データをトラッピング模型によって解析し、これらのvacancy型欠陥による陽電子捕獲率(欠陥濃度に比例する)を求めた。これらの欠陥のアニーリングを議論した。
高村 三郎; 伊藤 泰男*
Physica Status Solidi (B), 172(2), p.529 - 537, 1992/08
被引用回数：1 パーセンタイル：8.49(Physics, Condensed Matter)各種材料をイオン照射して空孔型欠陥を導入し、これにエネルギー可変の低速陽電子ビームを当てて、空孔型欠陥の深さ分布を測定した。イオン照射後昇温し、空孔の回復に伴う陽電子消滅でのSパラメータの変化を調べ、解析を行った。
S.Zhu*; A.Li*; S.Zheng*; H.Huang*; D.Li*; 岩田 忠夫
Chin. J. Nucl. Phys., 14(2), p.166 - 168, 1992/00
シリコンに1.4510
n/cm及び3.110
n/cmの中性子照射を行い、陽電子寿命の測定をアニーリング温度(343~1073K)の関数として行った。短寿命成分は、バルク中及び酸素-monovacancy対にトラップされた陽電子の寿命の平均である。長寿命成分はdivacancyあるいはquadrivacancyによるものである。照射量が3.110n/cmの場合にはquadrivacancyによるものは観測されなかった。
